PAGE PAGE # 单晶硅片技术标准 1范围 1.1本要求规定了单晶硅片的分类、技术方面的要求、包装和检验规范等 1.2本要求适用于单晶硅片的采购及其检验。 2规范性引用文件 ASTM F42-02 半导体材料导电率类型的测试方法 ASTM F26 半导体材料晶向测试方法 ASTM F84 直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法 ASTM F1391-93太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法 ASTM F121-83 太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法 ASTM F 1535 用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的实验方法 3术语和定义 TV :硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况； TTV :总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片 5点厚度：边缘上下左右 6mm处4点和中心点）； 3.3位错：晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯矢量的一种线位错密度：单位体积内位错线），通常以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表示； 3.5崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和 周边弦长给岀； 3.6裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕； 3.7四角同心度：单晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。 3.8密集型线cm上可视线分类 单晶硅片的等级有 A级品和B级品，规格为：125125 I （mm）、125125 U （mm）、156 156（mm）。 5技术方面的要求 5.1外观 见附录表格中检验要求。 5.2外观尺寸 5.2.1方片TV为200 i20 um,测试点为中心点； 5.2.2方片TTV小于30um测试点为边缘 6mm处4点、中心1点； 5.2.3硅片TTV以五点测量法为准，同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的 15% 5.2.4相邻C段的垂直度：90°±）.3°； 5.2.5其他尺寸要求见表 1。 表1单晶硅片尺寸要求 规格 （mm 尺寸（mm A （边长） B （直径） C （直线段长） D （弧长投影） Max. Mi n. Max. Mi n. Max. Mi n. Max. Mi n. 1251251： 125.5 124.5 150.5 149.5 83.9 81.9 21.9 20.2 「125125U 125.5 124.5 165.5 164.5 108.8 106.6 9.4 7.9 1 156156 156.5 155.5 200.5 199.5 126.2 124.1 15.9 14.9 注1： A、B、C、D分别参见图1。 图1 硅单晶片尺寸示意图 5.3材料性质 5.3.1导电类型: 序号 硅片类型 掺杂剂 1 N型 磷(Phosphorous) 2 P型 硼(Boro n) 5.3.2 硅片电阻率：见下表； 5.3.3硅片少子寿命：见下表（此寿命为 2mm样片钝化后的少子寿命）； 晶向：表面晶向100+/-3.0 ° 位错密度 3000pcs/cm2; 氧碳含量：氧含量 20ppma碳含量1.0ppma。 6检测环境、检测设备和检测的新方法 6.1检测环境：室温，有良好照明（光照度 》000Lux ）。 6.2检测设备：游标卡尺（0.01mm）、厚度测试仪/千分表（0.001mm）、水平测试台面、四探针测试仪、 少子寿命仪、氧碳含量测试仪、光学显微镜、角度尺等。 6.3检验测试的项目：导电类型、氧碳含量、单晶晶向、单晶位错密度、电阻率、少子寿命、外观尺寸。 6.4检测 方案：外观和尺寸进行全检，材料的性能和性质以单晶铸锭头尾部参数为参考，并提供每个批次硅片的检 测报告。 6.5检验结果的判定 检验项目的合格质量水平详见附录表 A《检验项目、检测验证的方法及检验规则对照表》。 7包装、储存和运输要求 7.1每包400枚，每箱6包共2400枚。需提供明细装箱单，包装上要有晶体编号，清单和实物一一对应， 每个小包装要有晶体编号，不同晶体编号放在同一包装要能明确区分开。 7.2产品应储存在清洁、干燥的环境中：温度： 10C?40C ;湿度：詬0%避免酸碱腐蚀性气氛；避免油 污、灰尘颗粒气氛。 7.3产品运送过程中轻拿轻放、严禁抛掷，且采取防震、防潮措施。 检验项目 检验要求 抽样 计划 验收 标准 硅片等级 检测工具 A级品 B级品 崩边/ 硅落 崩边硅落长宽 三0.3mm*0.2mm不穿透。 崩边长宽三1mm*1m不 穿透。硅落长宽厚三 1.5mm*1.5mm*100um 数量w 2 数量w 4 切割线um但无密集线um 外 缺角/ 缺口 缺口长宽三0.2mm*0.1mm无V型缺口、缺角 长宽三 1mm*0.5mm无 可见有棱角的缺角，数 量w 2。 目测 粗糙度测 试仪 全 观 毛边/ 亮点 长度三10m m深度不能延伸到硅片表面 0.1mm 长不限,深度不能延伸 到硅片表面0.3mm 日光灯 （ 表面清 洁度 无油污，无残胶，无明显水迹。轻微可清洗的污迹可放行。 如硅片之间的摩擦产生的印迹以及三 2个针尖状的无凹凸 的印迹。 无成片的油污，残胶， 水迹。 1000LUX) 检 划伤 无肉眼可见有深度感的划伤。 日光灯下无明显深度 感的划伤。 无孪晶、 slip、 应力、 其他 无孪晶、slip 、应力、裂纹、凹坑、气孔及明显划伤。 裂纹、气孔及明显凹 坑、划伤。 寸尺 规格 (mm) 边长（mm） 直径（mm） 其它尺 寸（mm） 垂直 度（°） 切片 前全 检晶 锭尺 Max Min Max Min 尺 125 1251 125.5 124.5 150.5 149.5 具体见 90 ± 0.3 电子卡尺 万能角规 125 125D 125.5 124.5 165.5 164.5 上表1 和图1 寸 寸 156 156 156.5 155.5 200.5 199.5 TV 200 ± 20卩m （中心点） 200± 30g m w 30 g 测厚仪 抽 TTV m 仲 w 50 g m / 千 检 心1点和边缘6mn位置4点） 分表 翘曲度 w 70 g m w 100 g m 位错密 度 2 w 3000/cm w 3000/cm 2 显微镜 截取 晶锭 性 导电型 号 N型/P型 N型/P型 型号仪 头尾 部2m 能 电阻率 0.5 Q .cm—3.5 Q .cm / 1.0 Q .cm— 3.0 Q .cm 电阻率测 试仪 样片 进行 氧含量 w 20ppma FTIR氧碳 测 碳含量 w 1.0ppma 含量测试 试.。 仪 退火 后测 电阻 率。钝 化后 测试 少子 寿命。 少子寿 命 100 卩 s / 15 卩 s 寿命测试 仪 多晶硅片技术标准 1范围 1.1本要求规定了多晶硅片的分类、技术方面的要求、包装和检验规范等 1.2本要求适用于多晶硅片的采购及其检验。 2规范性引用文件 ASTM F42-02 半导体材料导电率类型的测试方法 22 ASTM F84 直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法 ASTM F1391-93太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法 ASTM F121-83 太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法 ASTM F 1535 用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的实验方法 3术语和定义 TV :硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况； TTV :总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片 5点厚度：边缘上下左右 4 点和中心点）； 3.3崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和 周边弦长给岀； 3.4裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕； 3.5四角同心度：多晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。 3.6密集型线cm上可视线分类 多晶硅片的等级有 A级品和B级品，规格为：156mm 156mm 5技术方面的要求 5.1外观 见附录表格中检验要求。 5.2外观尺寸 5.2.1方片TV为200 i20 um,测试点为中心点； 5.2.2方片TTV小于30um测试点为边缘 6mm处4点、中心1点； 5.2.3硅片TTV以五点测量法为准，同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的 15% 相邻C段的垂直度：90 0 ±）.3 °。 其他尺寸要求见表 1。 表1多晶硅片尺寸要求 规格 （mm 尺寸 (mm A （边长） B （对角线） C （直线段长） D （弧长投影） Max. Mi n. Max. Mi n. Max. Mi n. Max. Mi n. 156156 156.5 155.5 219.7 218.7 155.6 152
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