技术给高压大电流半导体注入了新的活力，一批新型的声控功放器件诞生了，其中最有代表性的产品就是vdmos声效应功率晶体管。这种电流垂直流动的双扩散mos器件是电压控制型器件。在合适的栅极电压的控制下，半导体表面反型，形成导电沟道，于是漏极和源极之间流过适量的电流
vdmos兼有双极晶体管和普通mos器件的优点。与双极晶体管相比，它的开关速度，开关损耗小；输入阻抗高，驱动功率小；频率特性好；跨导高度线性。特别值得指明出的是，它具有负的温度系数，没有双极功率的二次穿问题，安全工作出区大。因此，不论是开关应用还是线性应用，vdmos都是理想的功率器件。
现在，vdmos器件已大范围的应用于各种领域，包括电机调速、逆变器、不间断电源、开关电源、电子开关、高保真音响、汽车电器和电子镇流器等。由于vdmos的性能价格比已优于双极功率器件，它在功率器件市场中的份额已超40％，并将继续上升。
vdmos制造工艺包括扩散，注入，光刻，刻蚀，溅射……等部分反复加工，流程多达200多工步，耗时通常＞40天，工艺较为复杂，难度较大，产品经常会出现良率异常。其vdmospbody形成主要是依靠离子注入机注入掺杂ptype离子b+,再通过扩散炉管工艺推进形成pbody结构。注入工艺过程中，为避免通道效应的发生，一般会用7度角注入b+离子，因栅氧厚度+多晶一般在台阶过高。7度角注入时，过片静止不动，容易在台阶底部90度位置产生的阴影效应，离子不能注入到此位置,pbody结构整片均匀性较差。会造成开启电压不稳定，漏电等问题，导致器件失效，成品硅片良率降低。
为解决现存技术中vdmospbody注入时容易在台阶底部90度位置产生的阴影效应的缺陷，提供一种新型的注入工艺。
一种vdmospbody注入阴影消除工艺，硅片处于高真空腔室中载片台上，竖直放置，束流相对于硅片成7°角注入硅片，作x方向扫描，同时载片台上下作y方向运动，束流按照总剂量分成多个方向注入。
进一步的，硅片平边向下逆时针方向0-30度，作为起始，注入25％剂量，暂停注入；然后硅片逆时针方向旋转90度，第2次注入25％剂量，暂停注入；硅片继续逆时针方向旋转90度，第3次注入25％剂量，暂停注入；硅片继续逆时针方向旋转90度，第4次注入25％剂量，完成注入。
在pbody注入原始的注入工艺过程中，硅片处于高真空腔室中载片台上，竖直放置。束流相对于硅片成7度角注入硅片，作x方向扫描，同时载片台上下作y方向运动，硅片不动。而本发明依旧采用了原注入条件的7°角注入，防止了沟道效应的发生，但是本发明将总剂量分成了4个方向注入，防止了阴影效应的产生，产品的良率从最初的95％提升到了98％，提升了3个百分点。提高pbody结构的均匀性，稳定了开启电压，开启电压从最初的2.8-3.2v波动范围，稳定到了2.9-3.0之间波动；降低了mos芯片的漏电，从最初的50na降低到了10na，从而提升成品硅片良率。
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
1)硅片处于高真空腔室中载片台上，竖直放置。束流相对于硅片成7度角注入硅片，作x方向扫描，同时载片台上下作y方向运动。
2)硅片平边向下逆时针方向22.5度，作为起始，注入25％剂量，暂停注入。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案做修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
1.一种vdmospbody注入阴影消除工艺，其特征是，硅片处于高真空腔室中载片台上，竖直放置，束流相对于硅片成7°角注入硅片，作x方向扫描，同时载片台上下作y方向运动，束流按照总剂量分成多个方向注入。
2.如权利要求1所述的vdmospbody注入阴影消除工艺，其特征是，束流按照总剂量分成四个方向注入，每个方向注入等量的剂量。
3.如权利要求2所述的vdmospbody注入阴影消除工艺，其特征是，硅片平边向下逆时针方向0-30度，作为起始，注入25％剂量，暂停注入；然后硅片逆时针方向旋转90度，第2次注入25％剂量，暂停注入；硅片继续逆时针方向旋转90度，第3次注入25％剂量，暂停注入；硅片继续逆时针方向旋转90度，第4次注入25％剂量，完成注入。
4.如权利要求3所述的vdmospbody注入阴影消除工艺，其特征是，硅片平边向下逆时针方向22.5度时，作为起始注入位置。
本发明公开了一种VDMOS Pbody注入阴影消除工艺，硅片处于高真空腔室中载片台上，竖直放置，束流相对于硅片成7°角注入硅片，作X方向扫描，同时载片台上下作Y方向运动，束流按照总剂量分成多个方向注入；本发明依旧采用了原注入条件的7°角注入，防止了沟道效应的发生，但是本发明将总剂量分成了4个方向注入，防止了阴影效应的产生，产品的良率从最初的95％提升到了98％，提升了3个百分点。提高Pbody结构的均匀性，稳定了开启电压，开启电压从最初的2.8‑3.2V波动范围，稳定到了2.9‑3.0之间波动；降低了MOS芯片的漏电，从最初的50nA降低到了10nA，从而提升成品硅片良率。
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